Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 fack med 15 enheter)*

5 734,305 kr

(exkl. moms)

7 167,885 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 15 enhet(er) levereras från den 17 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Bricka*
15 - 15382,287 kr5 734,31 kr
30 +363,171 kr5 447,57 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-5392
Tillv. art.nr:
FP25R12W2T4BOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

39 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Number of Transistors

7

Maximum Power Dissipation

175 W

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF

relaterade länkar