Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

Se alla IGBTs

Antal (1 fack med 10 enheter)*

19 496,76 kr

(exkl. moms)

24 370,95 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 december 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Bricka*
10 +1 949,676 kr19 496,76 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-5403
Tillv. art.nr:
FS150R12KT3BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

200 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Maximum Power Dissipation

700 W

Number of Transistors

6

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF

relaterade länkar