Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

2 298,20 kr

(exkl. moms)

2 872,75 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 12 298,20 kr
2 - 22 252,21 kr
3 +2 027,09 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-5380
Tillv. art.nr:
FP100R12KT4BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Maximum Power Dissipation

515 W

Number of Transistors

7

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF

relaterade länkar