Infineon FS100R12KE3BOSA1 IGBT Module, 140 A 1200 V

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

2 446,32 kr

(exkl. moms)

3 057,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 20 december 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 12 446,32 kr
2 - 22 397,25 kr
3 +2 157,79 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
244-5861
Tillv. art.nr:
FS100R12KE3BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

140 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

6

Maximum Power Dissipation

480 W

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 480 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Maximum collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

relaterade länkar