Infineon IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

51,30 kr

(exkl. moms)

64,12 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 280 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 825,65 kr51,30 kr
10 - 9824,305 kr48,61 kr
100 - 24823,185 kr46,37 kr
250 - 49821,95 kr43,90 kr
500 +21,055 kr42,11 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
242-0978
Tillv. art.nr:
IGP20N65H5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

42 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

125 W

Number of Transistors

1

Configuration

Single

Package Type

TO-220-3

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies
Plug and play replacement of previous generation IGBTs
Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters
Mid to high range switching frequency converters

relaterade länkar