Infineon IGP20N65H5XKSA1 Single IGBT, 42 A 650 V TO-220-3

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 500 enheter)*

6 681,50 kr

(exkl. moms)

8 352,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
Enheter
Per enhet
Per Rør*
500 - 50013,363 kr6 681,50 kr
1000 +12,695 kr6 347,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
242-0977
Tillv. art.nr:
IGP20N65H5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

42 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

125 W

Number of Transistors

1

Configuration

Single

Package Type

TO-220-3

The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.

Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies
Plug and play replacement of previous generation IGBTs
Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters
Mid to high range switching frequency converters

relaterade länkar