Infineon IGB50N65H5ATMA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-263

Se alla IGBTs

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

14 881,00 kr

(exkl. moms)

18 601,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +14,881 kr14 881,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-4389
Tillv. art.nr:
IGB50N65H5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

270 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-263

Channel Type

N

Pin Count

3

The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 80 A.

Higher power density design
50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Mild positive temperature coefficient

relaterade länkar