Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V 30 kHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

484,77 kr

(exkl. moms)

605,96 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Beställningar under 500,00 kr (exkl. moms) kostar 119,00 kr.
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +48,477 kr484,77 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
144-1203
Tillv. art.nr:
IKW75N65ES5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

395W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

30kHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.75V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

TrenchStop

Standarder/godkännanden

No

Energimärkning

3.35mJ

Fordonsstandard

Nej

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 och 650V


En serie IGBT-transistorer från Infineon med kollektor-emitterspänning på 600 och 650 V med TrenchStop™-teknik. Sortimentet omfattar enheter med en integrerad antiparallelldiod med hög hastighet och snabb återställning.

• Spänningsområde kollektor-emitter 600 till 650 V

• Mycket låg VCEsat

• Låga avstängningsförluster

• Kort svansström

• Låg EMI

• Maximal anslutningstemperatur 175°C

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar