STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

98,34 kr

(exkl. moms)

122,92 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 24 enhet(er) från den 19 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 849,17 kr98,34 kr
10 +42,00 kr84,00 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
206-7212
Tillv. art.nr:
STGWA75H65DFB2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

115 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

357 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

The STMicroelectronics Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package.

Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A
Very fast and soft recovery co-packaged diode
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Positive VCE(sat) temperature coefficient

relaterade länkar