onsemi, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 706,88 kr

(exkl. moms)

2 133,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 12056,896 kr1 706,88 kr
150 - 27049,329 kr1 479,87 kr
300 +47,171 kr1 415,13 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-1446
Tillv. art.nr:
FGH40T120SMD
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

40A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

555W

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±25 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

Field Stop

Fordonsstandard

Nej

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor


Diskreta IGBBT och moduler, Fairchild Semiconductor


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar