onsemi, IGBT, N Kanal, 40 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 864-8855
- Tillv. art.nr:
- FGH40T120SMD
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
96,10 kr
(exkl. moms)
120,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 383 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 96,10 kr |
| 10 - 99 | 82,77 kr |
| 100 - 249 | 68,43 kr |
| 250 - 499 | 64,62 kr |
| 500 + | 60,48 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 864-8855
- Tillv. art.nr:
- FGH40T120SMD
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 40A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 555W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±25 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | Field Stop | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 40A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 555W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±25 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie Field Stop | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
Diskreta IGBBT och moduler, Fairchild Semiconductor
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- onsemi, IGBT, N Kanal, 40 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 81 A 1200 V, TO-247
- onsemi, IGBT, N Kanal Enkel, 3 Ben, TO-247-3LD
- onsemi, IGBT, N Kanal Gemensam emitter, 200 A 1200 V, 4 Ben, TO-247-4L 1 Genomgående hål
- onsemi, IGBT, N Kanal Gemensam emitter, 140 A 1200 V, 4 Ben, TO-247-4L 1 Genomgående hål
- onsemi, IGBT, N Kanal Gemensam emitter, 160 A 1200 V, 4 Ben, TO-247-4L 1 Genomgående hål
- onsemi, IGBT-Ultra fältstopp, N Kanal, 25 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi, IGBT, N Kanal Gemensam emitter, 75 A 1200 V, 4 Ben, TO-247-4L 1 Genomgående hål