onsemi NGTB25N120FL3WG IGBT, 100 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

142,02 kr

(exkl. moms)

177,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 8 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 28 enhet(er) från den 02 februari 2026
  • Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 01 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1871,01 kr142,02 kr
20 +61,21 kr122,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
123-8830
Tillv. art.nr:
NGTB25N120FL3WG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

349 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.25 x 5.3 x 21.4mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Gate Capacitance

3085pF

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.


IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar