onsemi NGTB25N120FL3WG IGBT, 100 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Se alla IGBTs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

142,02 kr

(exkl. moms)

177,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 8 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 28 enhet(er) från den 08 januari 2026
  • Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 01 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1871,01 kr142,02 kr
20 +61,21 kr122,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
123-8830
Tillv. art.nr:
NGTB25N120FL3WG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

100 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

349 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.25 x 5.3 x 21.4mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Gate Capacitance

3085pF

Minimum Operating Temperature

-55 °C

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.


IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

relaterade länkar