IXYS, Hög hastighet, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 1200 V 50 kHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 281,74 kr

(exkl. moms)

2 852,16 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 210 enhet(er) levereras från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +76,058 kr2 281,74 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-1767
Tillv. art.nr:
IXYH50N120C3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

Hög hastighet, IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

750W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

50kHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

3.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

GenX3TM

Standarder/godkännanden

International Standard Package

Längd

20.32mm

Bredd

16.26 mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT-diskreter, IXYS XPT-serien


XPT™-serien av diskreta IGBT:er från IXYS har Extreme-light Punch-Through tunnskiveteknik, vilket resulterar i minskat värmemotstånd och lägre energiförluster. Dessa enheter ger snabba omkopplingstider med låg slutström och finns i en mängd olika industristandardiserade och egenutvecklade kapslingar.

Hög effekttäthet och låg VCE(sat)

Kvadratiska RBSOA (Reverse Bias Safe Operating Areas) upp till nominell genomslagsspänning

Kortslutningsförmåga för 10usec

Temperaturkoefficient för positiv on-state-spänning

Valfria sampackade Sonic-FRD™- eller HiPerFRED™-dioder

Internationella standard- och egenutvecklade högspänningspaket

Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed