Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 40 A 1200 V 48 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 754-5392
- Tillv. art.nr:
- IGW40T120FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
63,17 kr
(exkl. moms)
78,96 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 63,17 kr |
| 10 - 24 | 60,03 kr |
| 25 - 49 | 57,57 kr |
| 50 - 99 | 54,88 kr |
| 100 + | 51,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 754-5392
- Tillv. art.nr:
- IGW40T120FKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 40A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 270W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 48ns | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.3V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | Pb-Free, RoHS, JEDEC1 | |
| Serie | TrenchStop | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 40A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 270W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 48ns | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.3V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden Pb-Free, RoHS, JEDEC1 | ||
Serie TrenchStop | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 1100 till 1600V
Ett sortiment av IGBT-transistorer från Infineon med spänning mellan kollektor och emitter på 1100 till 1600 V med TrenchStop™-teknik. Sortimentet omfattar enheter med en integrerad antiparallelldiod med hög hastighet och snabb återställning.
• Spänningsområde kollektor-emitter 1100 till 1600V
• Mycket låg VCEsat
• Låga avstängningsförluster
• Kort svansström
• Låg EMI
• Maximal anslutningstemperatur 175°C
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Typ N Kanal 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Typ N Kanal 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål