onsemi, IGBT, N Kanal, 120 A 650 V 140 ns, 3 Ben, TO-3PN Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

64,96 kr

(exkl. moms)

81,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 122 enhet(er) från den 28 september 2026
  • Dessutom levereras 450 enhet(er) från den 02 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 964,96 kr
10 +55,89 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
864-8795
Tillv. art.nr:
FGA60N65SMD
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

120A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

600W

Kapseltyp

TO-3PN

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

N

Antal ben

3

Switchhastighet

140ns

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Serie

Field Stop

Fordonsstandard

Nej

Diskreta IGBT:er, Fairchild Semiconductor


Diskreta IGBBT och moduler, Fairchild Semiconductor


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.