onsemi, IGBT, N Kanal, 120 A 650 V 140 ns, 3 Ben, TO-3PN Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 242,63 kr

(exkl. moms)

1 553,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 450 enhet(er) levereras från den 25 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 9041,421 kr1 242,63 kr
120 - 24036,415 kr1 092,45 kr
270 - 48035,541 kr1 066,23 kr
510 +31,562 kr946,86 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-2181
Tillv. art.nr:
FGA60N65SMD
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

120A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

600W

Kapseltyp

TO-3PN

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

N

Antal ben

3

Switchhastighet

140ns

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.5V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

Field Stop

Standarder/godkännanden

RoHS Compliant

Fordonsstandard

Nej

Diskreta IGBT:er, Fairchild Semiconductor


Diskreta IGBBT och moduler, Fairchild Semiconductor


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.