onsemi, IGBT-fält Stop II, Typ N Kanal, 80 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

138,99 kr

(exkl. moms)

173,738 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 22 enhet(er) från den 04 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 1869,495 kr138,99 kr
20 +59,865 kr119,73 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
842-7905
Tillv. art.nr:
NGTB40N65FL2WG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Produkttyp

IGBT-fält Stop II

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

366W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

Field Stop

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

21.34mm

Bredd

16.25 mm

Höjd

5.3mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Relaterade länkar