STMicroelectronics, IGBT, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 576,17 kr

(exkl. moms)

1 970,22 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 19 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3052,539 kr1 576,17 kr
60 - 6051,173 kr1 535,19 kr
90 +49,911 kr1 497,33 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
261-5071
Tillv. art.nr:
STGWA80H65DFBAG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

535W

Kapseltyp

TO-247

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

15V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

21 mm

Höjd

5mm

Längd

15.8mm

Standarder/godkännanden

No

Serie

STGWA

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

AEC-Q101 qualified

High-speed switching series

Maximum junction temperature TJ is 175 degree C

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Positive temperature VCE(sat) coefficient

Soft and very fast recovery antiparallel diode

Relaterade länkar