Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 75 A 1.2 kV 1 MHz, 35 Ben, ECONO3 Genomgående hål 6

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 343,53 kr

(exkl. moms)

1 679,41 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 27 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 11 343,53 kr
2 - 41 276,35 kr
5 +1 222,59 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
838-6923
Tillv. art.nr:
FS75R12KE3GBOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

75A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1.2kV

Antal transistorer

6

Maximal effektförlust Pd

355W

Kapseltyp

ECONO3

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

35

Switchhastighet

1MHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.15V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Längd

122mm

Serie

FS75R12KE3G

Höjd

17mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

IGBT-moduler, Infineon


Anoden Infineon sortimentet av IGBT-moduler erbjuder låg switchförlust för switchning av frekvenser upp till 60 Khz.

IGBT:erna spänner över en rad kraftmoduler som ECONOPACK-paketen med kollektor-emitterspänning på 1200 V, PrimePACK IGBT chopper-moduler med halvbrygga och NTC upp till 1600/1700V. PrimePACK IGBT:erna finns i industriella, kommersiella, bygg- och jordbruksfordon. N-kanals TRENCHSTOP TM och Fieldstop IGBT-moduler är lämpliga för hård- och mjukkopplande applikationer som t.ex. växelriktare, UPS och industriella frekvensomriktare.

Förpackningarna innehåller: 62 mm moduler, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar