Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 75 A 1.2 kV 1 MHz, 35 Ben, ECONO3 Genomgående hål 6
- RS-artikelnummer:
- 838-6923
- Tillv. art.nr:
- FS75R12KE3GBOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 2 till för att spara 100,58 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
1 004,75 kr
(exkl. moms)
1 255,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 1 004,75 kr | - |
| 2 - 4 | 954,46 kr | 100,58 kr |
| 5 + | 914,48 kr | 451,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 838-6923
- Tillv. art.nr:
- FS75R12KE3GBOSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 75A | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1.2kV | |
| Maximal effektförlust Pd | 355W | |
| Antal transistorer | 6 | |
| Kapseltyp | ECONO3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 35 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.15V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 125°C | |
| Höjd | 17mm | |
| Längd | 122mm | |
| Bredd | 62mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | FS75R12KE3G | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 75A | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1.2kV | ||
Maximal effektförlust Pd 355W | ||
Antal transistorer 6 | ||
Kapseltyp ECONO3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 35 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.15V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 125°C | ||
Höjd 17mm | ||
Längd 122mm | ||
Bredd 62mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie FS75R12KE3G | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT-moduler, Infineon
Anoden Infineon sortimentet av IGBT-moduler erbjuder låg switchförlust för switchning av frekvenser upp till 60 Khz.
IGBT:erna spänner över en rad kraftmoduler som ECONOPACK-paketen med kollektor-emitterspänning på 1200 V, PrimePACK IGBT chopper-moduler med halvbrygga och NTC upp till 1600/1700V. PrimePACK IGBT:erna finns i industriella, kommersiella, bygg- och jordbruksfordon. N-kanals TRENCHSTOP TM och Fieldstop IGBT-moduler är lämpliga för hård- och mjukkopplande applikationer som t.ex. växelriktare, UPS och industriella frekvensomriktare.
Förpackningarna innehåller: 62 mm moduler, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 75 A 1.2 kV 1 MHz, 35 Ben, ECONO3 Genomgående hål 6
- Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 55 A 1.2 kV 1 MHz, 35 Ben, ECONO3 Genomgående hål 7
- Infineon, IGBT, N Kanal, 75 A 1.2 kV, 31 Ben, Modul Genomgående hål 7
- Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 55 A 1200 V 1 MHz, 35 Ben, ECONO3 Klämma
- Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 200 A 1200 V, AG-ECONO3-4 Klämma
- Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 100 A 1200 V, AG-ECONO3-4 Klämma
- Infineon, IGBT-modul, 600 A 1.2 kV, 11 Ben, AG-ECONOD Yta 2
- Infineon, IGBT, N Kanal, 150 A 1.2 kV, 32 Ben, Modul Genomgående hål 6