Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 1.2 kV, 31 Ben, Modul Genomgående hål 7
- RS-artikelnummer:
- 232-6719
- Tillv. art.nr:
- FP75R12N2T7BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
1 734,99 kr
(exkl. moms)
2 168,74 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 1 734,99 kr |
| 10 - 19 | 1 700,27 kr |
| 20 - 29 | 1 665,78 kr |
| 30 - 39 | 1 632,85 kr |
| 40 + | 1 599,81 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 232-6719
- Tillv. art.nr:
- FP75R12N2T7BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 75A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1.2kV | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 31 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.55V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 107.5mm | |
| Serie | FP75R12N2T7 | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 21.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 75A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1.2kV | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Antal transistorer 7 | ||
Kapseltyp Modul | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 31 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.55V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 107.5mm | ||
Serie FP75R12N2T7 | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 21.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon's EconoPIM 2, 75 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Also available with PressFIT technology. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.
RoHS-compliant modules
Copper base plate for optimized heat spread
High power density
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 1.2 kV, 31 Ben, Modul Genomgående hål 7
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 75 A 1.2 kV 1 MHz, 35 Ben, ECONO3 Genomgående hål 6
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 1200 V, 31 Ben, Modul Chassi 7
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 150 A 1.2 kV, 32 Ben, Modul Genomgående hål 6
- Infineon, IGBT-modul, 600 A 1.2 kV, 11 Ben, AG-ECONOD Yta 2
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 600 A 1.2 kV, 7 Ben, AG-62MM Yta 2
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 295 A 1.2 kV 1 MHz, 7 Ben, 62 mm modul Yta 2
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 400 A 1.2 kV 1 MHz, 5 Ben, 62 mm modul Yta 1
