Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 295 A 1.2 kV 1 MHz, 7 Ben, 62 mm modul Yta 2

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 162,11 kr

(exkl. moms)

1 452,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 februari 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 11 162,11 kr
2 - 41 104,10 kr
5 +1 057,62 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
838-6891
Tillv. art.nr:
FF200R12KE3HOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

295A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1.2kV

Maximal effektförlust Pd

1.05kW

Antal transistorer

2

Kapseltyp

62 mm modul

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

7

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.15V

Maximal arbetstemperatur

125°C

Längd

106.4mm

Serie

FF200R12KE3

Höjd

29mm

Bredd

61.4 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

IGBT-moduler, Infineon


Anoden Infineon sortimentet av IGBT-moduler erbjuder låg switchförlust för switchning av frekvenser upp till 60 Khz.

IGBT:erna spänner över en rad kraftmoduler som ECONOPACK-paketen med kollektor-emitterspänning på 1200 V, PrimePACK IGBT chopper-moduler med halvbrygga och NTC upp till 1600/1700V. PrimePACK IGBT:erna finns i industriella, kommersiella, bygg- och jordbruksfordon. N-kanals TRENCHSTOP TM och Fieldstop IGBT-moduler är lämpliga för hård- och mjukkopplande applikationer som t.ex. växelriktare, UPS och industriella frekvensomriktare.

Förpackningarna innehåller: 62 mm moduler, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar