STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 791-9374
- Tillv. art.nr:
- STGW20V60DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, i en förpackning med 5)*
195,55 kr
(exkl. moms)
244,45 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 160 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 39,11 kr | 195,55 kr |
| 50 - 120 | 35,63 kr | 178,15 kr |
| 125 + | 29,684 kr | 148,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 791-9374
- Tillv. art.nr:
- STGW20V60DF
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 40A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 167W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 20.15mm | |
| Serie | V | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 40A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 167W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 20.15mm | ||
Serie V | ||
Bredd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, STMicroelectronics
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 40 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 30 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 80 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 60 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 120 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal Enkel, 3 Ben, TO-247 1
- STMicroelectronics, IGBT, N Kanal, 60 A 600 V 29 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål