Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 166 A 1200 V 66 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 273-2974
- Tillv. art.nr:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
121,41 kr
(exkl. moms)
151,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 januari 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 121,41 kr |
| 5 - 9 | 118,94 kr |
| 10 - 24 | 110,43 kr |
| 25 - 49 | 101,02 kr |
| 50 + | 93,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2974
- Tillv. art.nr:
- IKQ100N120CH7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 166A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 361W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 66ns | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, JEDEC47/20/22 | |
| Längd | 20.9mm | |
| Serie | IKQ | |
| Bredd | 15.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 166A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 361W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 66ns | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, JEDEC47/20/22 | ||
Längd 20.9mm | ||
Serie IKQ | ||
Bredd 15.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IKQ-serien IGBT, 1200 V maximal gate-emitter-spänning, 166 A maximal kontinuerlig kollektorström – IKQ100N120CH7XKSA1
Denna IGBT är en halvledaromkopplingsenhet med tre terminaler som är utformad för tillämpningar med hög effekt. Den fungerar över ett brett temperaturområde och levereras i en TO‐247-kapsel med genomgående hål för robust kortmontering. Enheten uppfyller vanliga industristandarder för material och test, vilket gör den lämplig för strömomvandlingsuppgifter där hög spänning och stor strömhantering krävs.
Funktioner och fördelar:
• 166 A kontinuerlig ström med stöd för omkoppling vid kraftig belastning
• 1200 V gate-emitterklassning möjliggör drift med högspänning
• 2 V kollektor-emittermättnad minskar ledningsförluster
• 361 W effektförlust möjliggör långvarig termisk belastning
• RoHS- och JEDEC-godkännanden förenklar godkännandet av regelverk
• 1200 V gate-emitterklassning möjliggör drift med högspänning
• 2 V kollektor-emittermättnad minskar ledningsförluster
• 361 W effektförlust möjliggör långvarig termisk belastning
• RoHS- och JEDEC-godkännanden förenklar godkännandet av regelverk
Användningsområden
• Lämplig för strömomvandlare i industriella drivenheter
• Idealisk för växelriktarsteg i förnybara system
• Används med högströmsmotorstyrenheter
• Kan användas för stegen för avbrottsfri strömförsörjning
• Lämplig för högspänningsswitchning i kraftelektronik
• Idealisk för växelriktarsteg i förnybara system
• Används med högströmsmotorstyrenheter
• Kan användas för stegen för avbrottsfri strömförsörjning
• Lämplig för högspänningsswitchning i kraftelektronik
Vilken kapslingstyp används för montering på ett kretskort?
Den levereras i en TO‐247-förpackning med genomgående hål avsedd för säker fästning av kortet.
Vilket temperaturområde tål den under drift?
Enheten är specifik för drift från -40 °C upp till 175 °C.
Hur många elektriska anslutningar ger den?
Den har en trepolig konfiguration för grind-, kollektor- och emitteranslutningar.
Uppfyller den erkända miljö- och teststandarder?
Den har RoHS-kompatibilitet och uppfyller JEDEC47/20/22-riktlinjerna för testning.
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 166 A 1200 V 66 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 40 A 1200 V 48 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 75 A 1200 V 300 ns, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 81 A 1200 V, TO-247
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 150 A 1200 V 31 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 75 A 1200 V, 3 Ben, TO-247
- Infineon, IGBT, 75 A 1200 V, 4 Ben, TO-247
- Infineon, IGBT, 100 A 1200 V, 4 Ben, TO-247