Infineon, IGBT, 20 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 273-7441
- Tillv. art.nr:
- IHW20N65R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
38,98 kr
(exkl. moms)
48,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 24 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 240 enhet(er) från den 21 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 19,49 kr | 38,98 kr |
| 10 - 98 | 17,695 kr | 35,39 kr |
| 100 - 248 | 16,185 kr | 32,37 kr |
| 250 + | 15,01 kr | 30,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7441
- Tillv. art.nr:
- IHW20N65R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 20A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.35V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JESD-022, RoHS | |
| Längd | 21.1mm | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Bredd | 16.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 20A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.35V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JESD-022, RoHS | ||
Längd 21.1mm | ||
Höjd 5.21mm | ||
Bredd 16.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IGBT är en omvänd ledande IGBT med monolithisk kroppsdiod. Denna IGBT har en kraftfull monolitisk omvänd ledande diod med låg framåtriktad spänning och är kvalificerad enligt JESD022 för måltillämpningar. Den har enkel parallell omkopplingskapacitet på grund av positiv temperaturkoefficient i VCEsat. Denna IGBT rekommenderas för induktionsmatlagning, inverterade mikrovågsugnar och resonansomvandlare.
Låg EMI
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Hög robusthet
Blyplätering utan bly
Stabilt temperaturbeteende
Mycket låg VCEsat och låg Eoff
Mycket snäv parameterfördelning
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, 20 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-modul, 75 A 650 V, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-modul, 80 A 650 V 20 ns, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, 40 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, 50 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, 30 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247