Infineon, IGBT, 50 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- RS-artikelnummer:
- 244-2919
- Tillv. art.nr:
- IKW50N65WR5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
37,41 kr
(exkl. moms)
46,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 240 enhet(er) levereras från den 10 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 37,41 kr |
| 10 - 24 | 35,50 kr |
| 25 - 49 | 34,05 kr |
| 50 - 99 | 32,48 kr |
| 100 + | 30,24 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-2919
- Tillv. art.nr:
- IKW50N65WR5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 50A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 282W | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 41.42mm | |
| Serie | Reverse Conducting | |
| Bredd | 16.13 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 50A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 282W | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 41.42mm | ||
Serie Reverse Conducting | ||
Bredd 16.13 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon Monolithic diode optimized for PFC and welding applications. It has stable temperature behavior and very low VCEsat and low Eoff also Easy parallel switching capability based on positive temperature coefficient of VCEsat.
Low EMI
Low electrical parameters depending(dependence) on temperature
Qualified according to JESD-022 for target applications
Pb-free lead plating
Ro HS compliant
Complete product spectrum and Pspice Models
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, 50 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-modul, 50 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, 40 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, 30 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-modul, 75 A 650 V, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-modul, 40 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247