Infineon, IGBT-modul, 75 A 1200 V, 8 Ben, Modul Panel

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

1 318,10 kr

(exkl. moms)

1 647,62 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 15 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 41 318,10 kr
5 - 91 291,92 kr
10 - 991 198,40 kr
100 - 2491 098,50 kr
250 +1 013,94 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7367
Tillv. art.nr:
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

75A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

500W

Kapseltyp

Modul

Fästetyp

Panel

Antal ben

8

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.75V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

62.4mm

Höjd

16.4mm

Standarder/godkännanden

UL (E83335), RoHS

Bredd

56.7 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IGBT module has 1200 V VCES, 75 A continuous DC collector current, 3 level phase leg IGBT module with active Neutral Point Clamp 2, NTC, high speed IGBT H3 and Press FIT Contact Technology. This IGBT module suitable for 3 level application.

RoHS compliant

High speed IGBT H3

Low switching losses

Suitable for solar applications

Relaterade länkar

Recently viewed