Infineon AEC-Q101, IGBT, 120 A 750 V, 3 Ben, TO-247

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

106,96 kr

(exkl. moms)

133,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 203 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4106,96 kr
5 - 9101,58 kr
10 - 2497,33 kr
25 - 4993,18 kr
50 +86,69 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
248-6655
Tillv. art.nr:
AIKQ120N75CP2XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

120A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

750V

Maximal effektförlust Pd

682W

Kapseltyp

TO-247

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

15 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.3V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

15.9 mm

Serie

EDT2

Standarder/godkännanden

No

Höjd

5.1mm

Längd

41.2mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon Automotive IGBT discrete is an EDT2 IGBT with a co-packed diode in the TO247PLUS package, the EDT2 technology has an extremely tight parameter distribution and a positive thermal coefficient, this enables easy paralleling operation, providing system flexibility and power scalability, and the 750 V EDT technology significantly improves energy efficiency and cooling efforts for high voltage automotive applications by enabling battery voltages up to 470V and safe fast switching due to increased overvoltage margins, thus enabling high performant inverter systems.

Self limiting current under short circuit condition

Positive thermal coefficient and very tight parameter distribution for easy paralleling

Excellent current sharing in parallel operation

Smooth switching characteristics, low EMI signature

Low gate charge

Simple gate drive design

High reliability

Relaterade länkar