Infineon, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 284-628
- Tillv. art.nr:
- IKZA75N65EH7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rör med 30 enheter)*
1 165,26 kr
(exkl. moms)
1 456,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 38,842 kr | 1 165,26 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 284-628
- Tillv. art.nr:
- IKZA75N65EH7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 338W | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-4-STD-NT3.7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | 40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 21.1mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 338W | ||
Kapseltyp PG-TO-247-4-STD-NT3.7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur 40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 21.1mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineon IGBT är en högpresterande strömförsörjningskomponent som är utformad för att uppfylla de stränga kraven i moderna strömförsörjningstillämpningar. Den har avancerad TRENCHSTOP IGBT7-teknik, vilket ger en anmärkningsvärd balans mellan höghastighetsdrift och låg mättnadsspänning. Den här innovativa enheten säkerställer effektiv energihantering och förbättrad termisk prestanda, vilket gör den idealisk för industriella tillämpningar som strömförsörjningar utan avbrott, laddningssystem för elfordon och strängomvandlare. Med robust tillförlitlighet och omfattande produktvalidering är den ett pålitligt val för ingenjörer som fokuserar på att optimera prestanda i utmanande elektroniska miljöer.
Höghastighetsdrift minimerar omkopplingsförluster
Låg mättnad av kollektoremitter förbättrar effektiviteten
Fuktsäker konstruktion säkerställer tillförlitlighet
Robust värmehantering stöder hög strömstyrka
Optimerad för hårdkopplingsanvändning på flera nivåer
Omfattande PSpice-modeller för enkel integration
Mjuk och snabb återhämtningsdiod möjliggör smidig prestanda
Kvalificerad för industriell användning enligt JEDEC-standarder
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 140 A 650 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 95 A 1200 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 109 A 1200 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 82 A 1200 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål