onsemi, IGBT-modul, Q0BOOST – väska 180AJ Yta 2

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

727,22 kr

(exkl. moms)

909,02 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
1 - 9727,22 kr
10 +626,86 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
245-6991
Tillv. art.nr:
NXH80B120MNQ0SNG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal effektförlust Pd

69W

Antal transistorer

2

Kapseltyp

Q0BOOST – väska 180AJ

Typ av fäste

Yta

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

13.9mm

Längd

55.2mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Serie

NXH80B120MNQ0SNG

Fordonsstandard

Nej

Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 80 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 20 A SiC Diode Nickel-plated DBC


The ON Semiconductor Dual Boost Power Module is a power module containing a dual boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

1200 V 80 m SiC MOSFETs

Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes

1600 V Bypass and anti parallel Diodes

Low Inductive Layout Solderable Pins Thermistor

These devices are Pb free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS compliant

Relaterade länkar