onsemi, IGBT-modul, Typ N Kanal, 50 A 1200 V, 22 Ben, Q0BOOST Yta 2

Se alla IGBT:er
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
RS-artikelnummer:
195-8770
Tillv. art.nr:
NXH100B120H3Q0STG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

50A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

186W

Antal transistorer

2

Kapseltyp

Q0BOOST

Fästetyp

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

22

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.3V

Minsta arbetsstemperatur

150°C

Maximal arbetstemperatur

-40°C

Längd

66.2mm

Höjd

11.9mm

Bredd

32.8 mm

Serie

NXH100B120H3Q0

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The NXH100B120H3Q0 is a power integrated module (PIM) containing a dual boost stage consisting of two 50A/1200V IGBTs, two 20A/1200V SiC diodes, and two 25A/1600V anti-parallel diodes for the IGBTs. Two additional 25A/1600V bypass rectifiers used for inrush current limit are included. An on-board thermistor is included.

IGBT Specifications: VCE(SAT) = 1.77 V, ESW = 2200 uJ

Fast IGBT with low VCE(SAT) for high efficiency

25 A / 1600 V Bypass and Anti−parallel Diodes

Low VF bypass diodes for excellent efficiency in bypass mode

SiC Rectifier Specification: VF = 1.44 V

SiC Diode for high speed switching

Solder pin and press-fit pin options available

Flexible mounting

Applications

MPPT Boost Stage

Battery Charger Boost Stage

Relaterade länkar