onsemi, IGBT-modul, Q0PACK - Fodral 180AJ Yta 2

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

903,06 kr

(exkl. moms)

1 128,82 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 29 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9903,06 kr
10 +778,40 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
245-6982
Tillv. art.nr:
NXH40B120MNQ0SNG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT-modul

Antal transistorer

2

Maximal effektförlust Pd

118W

Kapseltyp

Q0PACK - Fodral 180AJ

Fästetyp

Yta

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

13.9mm

Längd

55.2mm

Bredd

32.8 mm

Serie

NXH40B120MNQ0SNG

Fordonsstandard

Nej

Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC Diode Nickel Plated DBC


The ON Semiconductor 3 Channel Boost Q1 Power Module is a power module containing a dual boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.

1200 V 40 m SiC MOSFETs

Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes

1200 V Bypass and Anti parallel Diodes

Low Inductive Layout Solderable Pins Thermistor

This Device is Pb Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS Compliant

Relaterade länkar