STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 150 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, Max247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 234-8892
- Tillv. art.nr:
- STGYA75H120DF2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
2 421,09 kr
(exkl. moms)
3 026,37 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 420 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 80,703 kr | 2 421,09 kr |
| 150 + | 79,703 kr | 2 391,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 234-8892
- Tillv. art.nr:
- STGYA75H120DF2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 150A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 750W | |
| Kapseltyp | Max247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Switchhastighet | 1MHz | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.6V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 150A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 750W | ||
Kapseltyp Max247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Switchhastighet 1MHz | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.6V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics IGBT utvecklats med en avancerad proprietär trench grindfältsstoppstruktur. Denna enhet är en del av H-serien av IGBT, som representerar en optimal kompromiss mellan ledning och omkopplingsförluster för att maximera effektiviteten hos högfrekvensomvandlare. Dessutom resulterar en något positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient och en mycket snäv parameterfördelning i säkrare parallell drift.
Maximal samlingstemperatur TJ = 175 °C
5 μs kortslutningshålltid
VCE(sat) = 2,1 V (typ. @ IC = 75 A
Tight parameterfördelning
Positiv VCE(sat)-temperaturkoefficient
Låg värmeresistans
Mycket snabb antiparallelldiod
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 150 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, Max247 Genomgående hål
- Starpower, IGBT-modul, N Kanal PIM, 150 A 1200 V, 44 Ben 7
- Starpower, IGBT Diskret, N Kanal, 150 A 1200 V, 3 Ben, TO-247
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 150 A 1200 V, AG-34MM-1 Klämma
- Starpower, IGBT-modul, N Kanal Dubbel, 150 A 1200 V, 7 Ben, Modul 2
- Starpower, IGBT-modul, N Kanal Quad, 150 A 1200 V, 26 Ben, Modul 4
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 150 A 1200 V, 43 Ben, Modul Chassi 7
- Mitsubishi Electric, IGBT-modul, Typ N Kanal, 150 A 1200 V, Modul Kretskort