STMicroelectronics, IGBT, Typ N Kanal, 150 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, Max247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 496,93 kr

(exkl. moms)

3 121,17 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +83,231 kr2 496,93 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
234-8892
Tillv. art.nr:
STGYA75H120DF2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

150A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

750W

Kapseltyp

Max247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.6V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature TJ = 175 °C

5 μs of short-circuit withstand time

VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A

Tight parameter distribution

Positive VCE(sat) temperature coefficient

Low thermal resistance

Very fast recovery antiparallel diode

Relaterade länkar