Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 25 A 1200 V, 23 Ben, EasyPIM Klämma
- RS-artikelnummer:
- 226-6059
- Tillv. art.nr:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
438,82 kr
(exkl. moms)
548,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 146 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 438,82 kr |
| 2 - 4 | 416,86 kr |
| 5 - 9 | 399,28 kr |
| 10 - 24 | 381,81 kr |
| 25 + | 355,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6059
- Tillv. art.nr:
- FP25R12W2T7B11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 25A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Kapseltyp | EasyPIM | |
| Typ av fäste | Klämma | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 23 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.82V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Serie | FP25 | |
| Längd | 56.7mm | |
| Höjd | 12mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 25A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Kapseltyp EasyPIM | ||
Typ av fäste Klämma | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 23 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.82V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Serie FP25 | ||
Längd 56.7mm | ||
Höjd 12mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon 25 A PIM IGBT module has compact design and used PRESSFIT contact technology. It has low on state voltage VCEsat.
Overload operation up to 175°C
2.5 kV AC 1min insulation
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 25 A 1200 V, 23 Ben, EasyPIM Klämma
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 15 A 1200 V, 23 Ben, EasyPIM Klämma
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal Gemensam emitter, 50 A 1200 V, 35 Ben, EasyPIM 6 Panel
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 50 A 1200 V 1 MHz, 23 Ben, ECONO2 Klämma
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 28 A 1200 V 1 MHz, 23 Ben, EASY1B Klämma
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 20 A 1200 V 1 MHz, 23 Ben, EASY1B Klämma
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 35 A 1200 V 1 MHz, 23 Ben, ECONO2 Klämma
- Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 25 A 1200 V, EASY1B Klämma