Infineon, Omvänt ledande IGBT, Typ N Kanal, 80 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

88,70 kr

(exkl. moms)

110,88 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 202 enhet(er) från den 04 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 844,35 kr88,70 kr
10 - 1840,88 kr81,76 kr
20 - 4838,19 kr76,38 kr
50 - 9835,505 kr71,01 kr
100 +32,87 kr65,74 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6643
Tillv. art.nr:
IHW40N135R5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

Omvänt ledande IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1350V

Maximal effektförlust Pd

394W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±25 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.65V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

Resonant Switching

Standarder/godkännanden

JESD-022, RoHS

Fordonsstandard

Nej

The Infineon insulated-gate bipolar transistor of resonant switching series with low saturation voltage.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar

Recently viewed