Infineon, Omvänt ledande IGBT, Typ N Kanal, 80 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-6643
- Tillv. art.nr:
- IHW40N135R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
88,70 kr
(exkl. moms)
110,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 184 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 44,35 kr | 88,70 kr |
| 10 - 18 | 40,88 kr | 81,76 kr |
| 20 - 48 | 38,19 kr | 76,38 kr |
| 50 - 98 | 35,505 kr | 71,01 kr |
| 100 + | 32,87 kr | 65,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6643
- Tillv. art.nr:
- IHW40N135R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Produkttyp | Omvänt ledande IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1350V | |
| Maximal effektförlust Pd | 394W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±25 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.65V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Standarder/godkännanden | JESD-022, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Produkttyp Omvänt ledande IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1350V | ||
Maximal effektförlust Pd 394W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±25 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.65V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie Resonant Switching | ||
Standarder/godkännanden JESD-022, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor of resonant switching series with low saturation voltage.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Relaterade länkar
- Infineon, Omvänt ledande IGBT, Typ N Kanal, 80 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, Omvänt ledande IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, Omvänt ledande IGBT, Typ N Kanal, 83 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, Omvänt ledande IGBT, Typ N Kanal, 65 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon IHW30N135R3FKSA1 IGBT, 30 A 1350 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål