Infineon, Omvänt ledande IGBT, N Kanal, 80 A 1.35 kV, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-6643
- Tillv. art.nr:
- IHW40N135R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
117,60 kr
(exkl. moms)
147,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 6 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 170 enhet(er) från den 20 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 58,80 kr | 117,60 kr |
| 10 - 18 | 54,15 kr | 108,30 kr |
| 20 - 48 | 50,625 kr | 101,25 kr |
| 50 - 98 | 47,04 kr | 94,08 kr |
| 100 + | 43,57 kr | 87,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6643
- Tillv. art.nr:
- IHW40N135R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Omvänt ledande IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1.35kV | |
| Maximal effektförlust Pd | 394W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.65V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | JESD-022, RoHS | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Omvänt ledande IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1.35kV | ||
Maximal effektförlust Pd 394W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.65V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden JESD-022, RoHS | ||
Serie Resonant Switching | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon resonansomkopplande serie omvänd ledande IGBT, 1350 V max kollektorsändarspänning, 80 A max kontinuerlig kollektorsström – IHW40N135R5XKSA1
Denna omvänt ledande IGBT är en högspänningsomkopplande enhet som är utformad för resonansomvandlartopologier och kraftelektroniktillämpningar. Den kombinerar isolerad grindstyrning med en integrerad omvänd ledningsväg för att förenkla kretsdesign i högspänningssystem samtidigt som den arbetar över ett brett omgivningstemperaturområde.
Funktioner och fördelar:
• Kollektor-emitterklassning på 1350 V möjliggör högspänningskopplingskapacitet
• 80 A kontinuerlig kollektorström stöder betydande belastningsströmmar
• 1,65 V typisk Vce(sat) minskar ledningsförluster vid höga strömmar
• ±25 V gate-emittertolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
• Maximal effektförlust på 394 W hanterar förhöjd värmestress
• TO-247-kapsel med genomgående hål förenklar kylelement och montering
• 80 A kontinuerlig kollektorström stöder betydande belastningsströmmar
• 1,65 V typisk Vce(sat) minskar ledningsförluster vid höga strömmar
• ±25 V gate-emittertolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler
• Maximal effektförlust på 394 W hanterar förhöjd värmestress
• TO-247-kapsel med genomgående hål förenklar kylelement och montering
Användningsområden
• Lämplig för resonansomvandlare i industriella nätaggregat
• Idealisk för högspänningsväxelriktare och switchade strömförsörjningar
• Används med motordrivningar med medelhög effekt som kräver omvänd ledningsförmåga
• Kan användas för switch-nätverk i förnybara energisystem
• Lämplig för laboratorie- och bordsprototyper med genomgående hålmontering
• Idealisk för högspänningsväxelriktare och switchade strömförsörjningar
• Används med motordrivningar med medelhög effekt som kräver omvänd ledningsförmåga
• Kan användas för switch-nätverk i förnybara energisystem
• Lämplig för laboratorie- och bordsprototyper med genomgående hålmontering
Vilka extrema temperaturer kan förväntas under drift?
Enheten är specifik för att fungera från -40 °C upp till 175 °C kopplingstemperatur, för omkopplingsmiljöer med hög temperatur.
Hur förenklar enheten grinddrivningskonstruktionen?
Grindemitterklassningen på ±25 V ger ett brett tillåtna grindspänningsområde, vilket minskar känsligheten för drivtransienter och möjliggör flexibla drivkretsar.
Vilka förpackningsaspekter påverkar värmehanteringen?
Den är inrymd i en TO-247-förpackning med genomgående hål och möjliggör direkt anslutning till externa kylelement och enkelt termiskt gränssnitt för effektiv strömförlust.
Vilka reglerings- eller miljöstandarder gäller för denna komponent?
Den överensstämmer med RoHS- och JESD-022-hanteringsstandarder som är relevanta för fuktkänslighet och begränsningar av farliga ämnen.
Relaterade länkar
- Infineon, Omvänt ledande IGBT, N Kanal, 80 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, Omvänt ledande IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, Omvänt ledande IGBT, N Kanal, 65 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, Omvänt ledande IGBT, N Kanal, 83 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 30 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål 1
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 40 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
