onsemi, IGBT-modul, N Kanal, 35 A 650 V, 26 Ben, DIP-26 Genomgående hål

Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
RS-artikelnummer:
202-5682
Tillv. art.nr:
NXH35C120L2C2SG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

35A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Kapseltyp

DIP-26

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

N

Antal ben

26

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±2 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.4V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

CIB

Höjd

8mm

Bredd

40mm

Längd

73mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

ON Semiconductors överföringsgjutna strömförsörjningsmodul innehåller en omvandlare-omriktare-bromskrets som består av sex 35 ampere och 1600 volt likriktare, sex 35 ampere och 1200 volt IGBT med inverterade dioder, en 35 ampere och 1200 volt broms IGBT med bromsdiod och en NTC-termistor.

Låg värmeresistans

6 mm avståndsavstånd mellan stift och kylelement

Lödbara stiften

Termistor

Blyfri

Halogenfri eller BFR-fri

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.