onsemi, IGBT, N Kanal 3-fas, 30 A 650 V, 39 Ben, DIP-39 6 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

315,73 kr

(exkl. moms)

394,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 90 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9315,73 kr
10 - 99284,14 kr
100 +262,08 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
277-038
Tillv. art.nr:
NFAM3065L4BL
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

30A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Antal transistorer

6

Maximal effektförlust Pd

113W

Kapseltyp

DIP-39

Konfiguration

3-fas

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

N

Antal ben

39

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.3V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

31mm

Höjd

5.6mm

Standarder/godkännanden

Pb-Free, UL1557 (File No.339285), RoHS

Längd

54.5mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
VN
ON Semiconductors integrerade inverterströmmodul har en högsidig grinddrivare, LVIC, sex IGBT och en temperatursensor (VTS), vilket gör den idealisk för att driva PMSM-, BLDC- och AC-asynkrona motorer. IGBT:erna är ordnade i en trefasbrygga med separata emitteranslutningar för de nedre benen, vilket möjliggör maximal flexibilitet vid val av styralgoritm.

Aktivt logikgränssnitt

Inbyggt underspänningsskydd

Integrerade bootstrap-dioder och motstånd

Separata IGBT-emitteranslutningar på låg sida för individuell strömavkänning av varje fas

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.