onsemi AEC-Q101, Fältstopp dike IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 202-5669
- Tillv. art.nr:
- AFGHL40T65SQ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 633,90 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
459,20 kr
(exkl. moms)
574,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 45,92 kr | 459,20 kr | - |
| 100 - 240 | 39,581 kr | 395,81 kr | 633,90 kr |
| 250 + | 34,328 kr | 343,28 kr | 2 898,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5669
- Tillv. art.nr:
- AFGHL40T65SQ
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Produkttyp | Fältstopp dike IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.6V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±3 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | Trench | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Produkttyp Fältstopp dike IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.6V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±3 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie Trench | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ON Semiconductors Field Stop Trench IGBT erbjuder optimala prestanda för både hård och mjuk omkopplingstopologi i fordonstillämpningar. Det är en fristående IGBT.
AEC-Q101-godkänd
Hög strömkapacitet
Snabbväxlande
Tight parameterfördelning
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- onsemi AEC-Q101, Fältstopp dike IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- ROHM AEC-Q101, IGBT, Fältstopp dike Kanal, 20 A 650 V, 3 Ben, TO-263L Yta
- ROHM AEC-Q101, IGBT, Fältstopp dike Kanal, 20 A 650 V 8 μs, 3 Ben, TO-263L Yta
- onsemi AEC-Q101, Fältstopp IGBT, N Kanal, 80 A 600 V 25 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 75 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 120 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- onsemi AEC-Q101, IGBT, N Kanal, 100 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål