IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 32 A 1700 V, 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 168-4504
- Tillv. art.nr:
- IXGH16N170
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 rör med 30 enheter)*
2 689,56 kr
(exkl. moms)
3 361,95 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 330 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 89,652 kr | 2 689,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-4504
- Tillv. art.nr:
- IXGH16N170
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 32A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1700V | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Kapseltyp | TO-247AD | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 3.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 15.75 mm | |
| Längd | 19.81mm | |
| Serie | High Voltage | |
| Standarder/godkännanden | UL 94 V-0 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 32A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1700V | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Kapseltyp TO-247AD | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 3.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 15.75 mm | ||
Längd 19.81mm | ||
Serie High Voltage | ||
Standarder/godkännanden UL 94 V-0 | ||
Fordonsstandard Nej | ||

IGBT Discretes, IXYS
Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- IXYS Nej IXGH16N170 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej IXYH30N170C Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej IXGH6N170 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej IXGH32N170 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej Typ N Kanal 3 Ben Yta
