IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 1700 V, 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 146-4252
- Tillv. art.nr:
- IXYH30N170C
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 rör med 30 enheter)*
6 569,70 kr
(exkl. moms)
8 212,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 218,99 kr | 6 569,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4252
- Tillv. art.nr:
- IXYH30N170C
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 100A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1700V | |
| Maximal effektförlust Pd | 937W | |
| Kapseltyp | TO-247AD | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Voltage | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 100A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1700V | ||
Maximal effektförlust Pd 937W | ||
Kapseltyp TO-247AD | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie High Voltage | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) IGBT:er med strömstyrkor från 29 A till 178 A, är väl lämpade för tillämpningar med högspänning och höghastighetsströmomvandling. Dessa enheter är utformade med den proprietära Thin-Wafer XPT-tekniken och den toppmoderna IGBT-processen och uppvisar egenskaper som minskat termisk motstånd, låg bakström, låg energiförlust och höghastighetsomkopplingsförmåga. Tack vare den positiva temperaturkoefficienten för deras på-spänning kan de nya högspännings-IGBT:erna användas parallellt, vilket ger kostnadseffektiva lösningar jämfört med seriekopplade enheter med lägre spänning.
Tunn wafer XPT-teknik
Låga på-spänningar VCE(sat)
Sammanpackade dioder för snabb återställning
Positiv temperaturkoefficient av VCE(sat)
Hög effektivitet
Ökad tillförlitlighet av kraftsystem
Användningsområden
Pulserkretsar
Laser- och röntgengeneratorer
Högspänningsnätaggregat
Högspänningstestutrustning
Kondensatorurladdningskretsar
AC-omkopplare
Relaterade länkar
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 1700 V, 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 32 A 1700 V, 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 1700 V, 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 1700 V 250 ns, 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 50 A 1700 V 290 ns, 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål, Yta
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 430 A 650 V 30 kHz, 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 30 A 1700 V 95 ns, 3 Ben, PLUS247 Genomgående hål
- IXYS, IGBT-modul, Typ N Kanal, 30 A 1700 V 95 ns, 4 Ben, SOT-227B Yta