IXYS, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 1700 V, 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 146-4252
- Tillv. art.nr:
- IXYH30N170C
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Antal (1 rör med 30 enheter)*
5 733,51 kr
(exkl. moms)
7 166,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 191,117 kr | 5 733,51 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4252
- Tillv. art.nr:
- IXYH30N170C
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 100A | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1700V | |
| Maximal effektförlust Pd | 937W | |
| Kapseltyp | TO-247AD | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 4V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Serie | High Voltage | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 100A | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1700V | ||
Maximal effektförlust Pd 937W | ||
Kapseltyp TO-247AD | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 4V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Serie High Voltage | ||
Fordonsstandard Nej | ||
IXYS XPT (eXtreme-light Punch Through) IGBTs with current ratings ranging from 29A to 178A, are well-suited for high-voltage, high-speed power conversion applications. Designed using the proprietary thin-wafer XPT technology and the state-of-the-art IGBT process, these devices display such qualities as reduced thermal resistance, low tail current, low energy loss, and high-speed switching capability. Also, thanks to the positive temperature coefficient of their on-state voltage, the new high-voltage IGBTs can be used in parallel, which provides cost-effective solutions compared to series-connected, lower-voltage device ones.
Thin wafer XPT technology
Low on-state voltages VCE(sat)
Co-packed fast recovery diodes
Positive temperature coefficient of VCE(sat)
High efficiency
Increased reliability of power systems
Applications
Pulser circuits
Laser and X-ray generators
High-voltage power supplies
High-voltage test equipment
Capacitor discharge circuits
AC switches
Relaterade länkar
- IXYS Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej IXGH6N170 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej IXGH16N170 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej IXGH32N170 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247AD Genomgående hål
- IXYS Nej Typ N Kanal 3 Ben Yta