Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 105 A 1200 V 0.26 μs, AG-ECONO3-3 Klämma

RS-artikelnummer:: 166-0895
Tillv. art.nr:: FP75R12KE3BOSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 105 A 1200 V 0.26 μs, AG-ECONO3-3 Klämma

Antal (10 enheter, i ett fack med 10)*

9 842,11 kr

(exkl. moms)

12 302,64 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 29 augusti 2028

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per fack*
10 +	984,211 kr	9 842,11 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 166-0895
Tillv. art.nr:: FP75R12KE3BOSA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	IGBT-modul
	Maximal kontinuerlig kollektorström Ic	105A
	Maximal kollektor-emitterspänning Vceo	1200V
	Maximal effektförlust Pd	355W
	Kapseltyp	AG-ECONO3-3
	Typ av fäste	Klämma
	Kanaltyp	N
	Switchhastighet	0.26μs
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO	20 V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT	2.2V
	Maximal arbetstemperatur	125°C
	Höjd	17mm
	Längd	122mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Bredd	62mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp IGBT-modul
	Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 105A
	Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V
	Maximal effektförlust Pd 355W
	Kapseltyp AG-ECONO3-3
	Typ av fäste Klämma
	Kanaltyp N
	Switchhastighet 0.26μs
	Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.2V
	Maximal arbetstemperatur 125°C
	Höjd 17mm
	Längd 122mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Bredd 62mm
	Fordonsstandard Nej

RoHS-status: Inte relevant

COO (ursprungsland):: MY

Infineon IGBT-modul, 1200 V max kollektorsändarspänning, 105 A max kontinuerlig kollektorström – FP75R12KE3BOSA1

Denna IGBT-modul är en effekthalvledarenhet som är utformad för att omkoppla och styra högspännings-DC i industriella omvandlar- och växelriktare. Den kombinerar isolerad grindstyrning med högspänningskapacitet för att stödja strömomvandlingsuppgifter över ett brett drifttemperaturområde, och levereras i en klämmonterad förpackning som är lämplig för säker mekanisk fästning.

Funktioner och fördelar:

• 1200 V-klassning möjliggör högspänningskoppling i effektsteg
• 105 A kontinuerlig kollektorström för hållbar lasthantering
• 355 W maximalt förlust med stöd för högt effektflöde
• 2,2 V Vce(sat) minimerar ledningsförluster under belastning
• 0.26 μs omkopplingshastighet minskar övergångsförluster vid omkoppling
• Gränsen för gate-emitter på ±20 V säkerställer en robust gate-drivenhetstolerans

Användningsområden

• Lämplig för 1200 V IGBT-modul för växelriktare i industriella drivenheter
• Idealisk för IGBT 355 W-omvandlarenheter med hög effekt
• Används för IGBT-motorstyrningssystem med 105 A kollektorström
• Kan användas för IGBT-modulrack med klämmontering
• Används med icke-fordonskraftelektronik och dragkrafttestbäddar

Vilka omgivningstemperaturer kan enheten tolerera under drift?

Den fungerar korrekt över ett brett temperaturfönster från -40 °C till 125 °C, vilket möjliggör användning i krävande termiska miljöer.

Hur påverkar förpackningen montering och servicekapacitet?

Det klämformade monteringsarrangemanget ger fast fäste och enkelt byte utan specialiserade fästen.

Vilken elektrisk polaritet och kanaltyp använder den?

Enheten är en N-kanalig IGBT som är lämplig för konventionella kollektor-emitterande switchande topologier.

Finns det begränsningar för gate-drivspänning under användning?

Gate-emitterspänningen måste hållas inom ±20 V för att förhindra gate-oxidbelastning och säkerställa tillförlitlig omkoppling.