Infineon, IGBT-modul, Typ N Kanal, 700 A 1200 V 0.06 μs, AG-62MM-2 Klämma

Se alla IGBT:er

Antal (1 fack med 10 enheter)*

16 734,14 kr

(exkl. moms)

20 917,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 120 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
10 +1 673,414 kr16 734,14 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-1097
Tillv. art.nr:
FZ600R12KS4HOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

700A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

3900W

Kapseltyp

AG-62MM-2

Fästetyp

Klämma

Kanaltyp

Typ N

Switchhastighet

0.06μs

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

3.85V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

125°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

36.5mm

Serie

FZ600R12KS4

Bredd

61.4 mm

Längd

106.4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
HU

IGBT-moduler, Infineon


Anoden Infineon sortimentet av IGBT-moduler erbjuder låg switchförlust för switchning av frekvenser upp till 60 Khz.

IGBT:erna spänner över en rad kraftmoduler som ECONOPACK-paketen med kollektor-emitterspänning på 1200 V, PrimePACK IGBT chopper-moduler med halvbrygga och NTC upp till 1600/1700V. PrimePACK IGBT:erna finns i industriella, kommersiella, bygg- och jordbruksfordon. N-kanals TRENCHSTOP TM och Fieldstop IGBT-moduler är lämpliga för hård- och mjukkopplande applikationer som t.ex. växelriktare, UPS och industriella frekvensomriktare.

Förpackningarna innehåller: 62 mm moduler, EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Recently viewed