Infineon, IGBT-modul, N Kanal, 105 A 1200 V 0.26 μs, AG-ECONO3-3 Klämma

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

1 081,47 kr

(exkl. moms)

1 351,84 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 september 2028
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 11 081,47 kr
2 - 41 027,38 kr
5 +984,37 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
111-6095
Tillv. art.nr:
FP75R12KE3BOSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

105A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

355W

Kapseltyp

AG-ECONO3-3

Typ av fäste

Klämma

Kanaltyp

N

Switchhastighet

0.26μs

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.2V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

125°C

Bredd

62mm

Längd

122mm

Höjd

17mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Inte relevant

Infineon IGBT-modul, 1200 V max kollektorsändarspänning, 105 A max kontinuerlig kollektorström – FP75R12KE3BOSA1


Denna IGBT-modul är en effekthalvledarenhet som är utformad för att omkoppla och styra högspännings-DC i industriella omvandlar- och växelriktare. Den kombinerar isolerad grindstyrning med högspänningskapacitet för att stödja strömomvandlingsuppgifter över ett brett drifttemperaturområde, och levereras i en klämmonterad förpackning som är lämplig för säker mekanisk fästning.

Funktioner och fördelar:


• 1200 V-klassning möjliggör högspänningskoppling i effektsteg
• 105 A kontinuerlig kollektorström för hållbar lasthantering
• 355 W maximalt förlust med stöd för högt effektflöde
• 2,2 V Vce(sat) minimerar ledningsförluster under belastning
• 0.26 μs omkopplingshastighet minskar övergångsförluster vid omkoppling
• Gränsen för gate-emitter på ±20 V säkerställer en robust gate-drivenhetstolerans

Användningsområden


• Lämplig för 1200 V IGBT-modul för växelriktare i industriella drivenheter
• Idealisk för IGBT 355 W-omvandlarenheter med hög effekt
• Används för IGBT-motorstyrningssystem med 105 A kollektorström
• Kan användas för IGBT-modulrack med klämmontering
• Används med icke-fordonskraftelektronik och dragkrafttestbäddar

Vilka omgivningstemperaturer kan enheten tolerera under drift?


Den fungerar korrekt över ett brett temperaturfönster från -40 °C till 125 °C, vilket möjliggör användning i krävande termiska miljöer.

Hur påverkar förpackningen montering och servicekapacitet?


Det klämformade monteringsarrangemanget ger fast fäste och enkelt byte utan specialiserade fästen.

Vilken elektrisk polaritet och kanaltyp använder den?


Enheten är en N-kanalig IGBT som är lämplig för konventionella kollektor-emitterande switchande topologier.

Finns det begränsningar för gate-drivspänning under användning?


Gate-emitterspänningen måste hållas inom ±20 V för att förhindra gate-oxidbelastning och säkerställa tillförlitlig omkoppling.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.