Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

745,14 kr

(exkl. moms)

931,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3024,838 kr745,14 kr
60 - 12023,596 kr707,88 kr
150 - 27022,603 kr678,09 kr
300 - 57021,112 kr633,36 kr
600 +19,87 kr596,10 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
145-9173
Tillv. art.nr:
IGW40N65F5FKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

74A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

250W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Serie

TrenchStop

Standarder/godkännanden

JEDEC, RoHS, Pb-free lead plating

Energimärkning

0.46mJ

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY

Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 och 650V


En serie IGBT-transistorer från Infineon med kollektor-emitterspänning på 600 och 650 V med TrenchStop™-teknik. Sortimentet omfattar enheter med en integrerad antiparallelldiod med hög hastighet och snabb återställning.

• Spänningsområde kollektor-emitter 600 till 650 V

• Mycket låg VCEsat

• Låga avstängningsförluster

• Kort svansström

• Låg EMI

• Maximal anslutningstemperatur 175°C

Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar