Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 145-8585
- Tillv. art.nr:
- IKP06N60TXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
585,30 kr
(exkl. moms)
731,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 11,706 kr | 585,30 kr |
| 100 - 200 | 9,365 kr | 468,25 kr |
| 250 - 450 | 8,779 kr | 438,95 kr |
| 500 - 950 | 8,196 kr | 409,80 kr |
| 1000 + | 7,609 kr | 380,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 145-8585
- Tillv. art.nr:
- IKP06N60TXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 12A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 600V | |
| Maximal effektförlust Pd | 88W | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.05V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Energimärkning | 0.335mJ | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 12A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 600V | ||
Maximal effektförlust Pd 88W | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.05V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Standarder/godkännanden JEDEC, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Energimärkning 0.335mJ | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 600 och 650V
En serie IGBT-transistorer från Infineon med kollektor-emitterspänning på 600 och 650 V med TrenchStop™-teknik. Sortimentet omfattar enheter med en integrerad antiparallelldiod med hög hastighet och snabb återställning.
• Spänningsområde kollektor-emitter 600 till 650 V
• Mycket låg VCEsat
• Låga avstängningsförluster
• Kort svansström
• Låg EMI
• Maximal anslutningstemperatur 175°C
Diskreta IGBBT-enheter och moduler, Infineon
Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-220 Yta
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 26 A 600 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 41 A 600 V, 3 Ben, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 4 A 600 V, TO-251
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 34 A 600 V, TO-263
- Infineon, IGBT, 15 A 600 V, TO-220
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 12 A 600 V, 3 Ben, TO-263 Genomgående hål