onsemi, IGBT, Typ N Kanal, 35 A 1200 V 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

45 405,60 kr

(exkl. moms)

56 756,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 +56,757 kr45 405,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-1406
Tillv. art.nr:
HGT1S10N120BNST
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

35A

Produkttyp

IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

298W

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.45V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

NPT

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor


Diskreta IGBBT och moduler, Fairchild Semiconductor


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.