onsemi, IGBT, N Kanal, 35 A 1.2 kV 1 MHz, 3 Ben, TO-263 Yta

Se alla IGBT:er
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
124-1406
Tillv. art.nr:
HGT1S10N120BNST
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

35A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1.2kV

Maximal effektförlust Pd

298W

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

N

Antal ben

3

Switchhastighet

1MHz

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.45V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

NPT

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor


Diskreta IGBBT och moduler, Fairchild Semiconductor


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.