Microchip, Diskret IGBT, N-kanal Kanal, 69 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 1 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 838-597
- Tillv. art.nr:
- APT25GP120BSC15
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
194,67 kr
(exkl. moms)
243,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Ny produkt − Förbeställ idag
- Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 194,67 kr |
| 5 + | 188,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 838-597
- Tillv. art.nr:
- APT25GP120BSC15
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 69A | |
| Produkttyp | Diskret IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 417W | |
| Antal transistorer | 1 | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N-kanal | |
| Antal ben | 3 | |
| Höjd | 5.31mm | |
| Bredd | 16.26mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDC | |
| Längd | 41.78mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 69A | ||
Produkttyp Diskret IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 417W | ||
Antal transistorer 1 | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N-kanal | ||
Antal ben 3 | ||
Höjd 5.31mm | ||
Bredd 16.26mm | ||
Standarder/godkännanden JEDC | ||
Längd 41.78mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Microchip Punch Through IGBT integrerar en högpresterande 1200 V 25 A Power MOS 7-transistor med en anti-parallell Schottky-diod av kiselkarbid.
Maximal 1200 V kollektor-emitterspänning
Avancerad Power MOS 7-genomföringsteknik
Integrerad antiparallell SiC Schottky-diod
