Microchip, Diskret IGBT, N-kanal Kanal, 69 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 1 Genomgående hål

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

194,67 kr

(exkl. moms)

243,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Ny produkt − Förbeställ idag
  • Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 4194,67 kr
5 +188,77 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
838-597
Tillv. art.nr:
APT25GP120BSC15
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

69A

Produkttyp

Diskret IGBT

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

417W

Antal transistorer

1

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Kanaltyp

N-kanal

Antal ben

3

Höjd

5.31mm

Bredd

16.26mm

Standarder/godkännanden

JEDC

Längd

41.78mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
PH
Microchip Punch Through IGBT integrerar en högpresterande 1200 V 25 A Power MOS 7-transistor med en anti-parallell Schottky-diod av kiselkarbid.

Maximal 1200 V kollektor-emitterspänning

Avancerad Power MOS 7-genomföringsteknik

Integrerad antiparallell SiC Schottky-diod

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.