Starpower, IGBT Diskret, N Kanal, 100 A 650 V, 3 Ben, TO-247
- RS-artikelnummer:
- 427-728
- Tillv. art.nr:
- DG50X07T2
- Tillverkare / varumärke:
- Starpower
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
97,55 kr
(exkl. moms)
121,938 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 enhet(er) från den 20 april 2026
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 19 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 48,775 kr | 97,55 kr |
| 20 - 198 | 43,96 kr | 87,92 kr |
| 200 - 998 | 40,43 kr | 80,86 kr |
| 1000 - 1998 | 37,63 kr | 75,26 kr |
| 2000 + | 31,53 kr | 63,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 427-728
- Tillv. art.nr:
- DG50X07T2
- Tillverkare / varumärke:
- Starpower
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Starpower | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 100A | |
| Produkttyp | IGBT Diskret | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 714W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.9V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | Lead free package | |
| Serie | DOSEMI | |
| Höjd | 5.45mm | |
| Längd | 21mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Starpower | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 100A | ||
Produkttyp IGBT Diskret | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 714W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.9V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden Lead free package | ||
Serie DOSEMI | ||
Höjd 5.45mm | ||
Längd 21mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Starpower IGBT Power Discrete provides ultralow conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS.
Low switching loss
Maximum junction temperature 175°C
VCE(sat) with positive temperature coefficient
Fast and soft reverse recovery anti parallel FWD
Lead free package