STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT Dubbel gate, 84 A 650 V, 7 Ben, HU3PAK 1 Yta

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

26,43 kr

(exkl. moms)

33,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 595 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 926,43 kr
10 - 9923,74 kr
100 +22,62 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
285-638
Tillv. art.nr:
STGHU30M65DF2AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

IGBT

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

84A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

441W

Antal transistorer

1

Konfiguration

Dubbel gate

Kapseltyp

HU3PAK

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

3.6mm

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Längd

11.9mm

Bredd

14.1 mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Denna STMicroelectronics-enhet är en IGBT-enhet som utvecklats med en avancerad proprietär grindgate-fältsstruktur. Enheten är en del av M-serien av IGBT, som representerar en optimal balans mellan invertersystemets prestanda och effektivitet där låg förlust och kortslutningsfunktionalitet är avgörande. Dessutom resulterar den positiva VCE(sat)-temperaturkoefficienten och den snäva parameterfördelningen i säkrare parallell drift.

Maximal samlingstemperatur TJ = 175 °C

6 μs minsta kortslutningstid

Tight parameterfördelning

Säkrare parallellisering

Låg värmeresistans

Mjuk och mycket snabb antiparallelldiod för återhämtning

Utmärkt växlingsprestanda tack vare det extra drivande Kelvin-stiftet

Relaterade länkar