Infineon, IGBT, N Kanal 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 285-008
- Tillv. art.nr:
- IKWH40N65EH7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (30 enheter, i ett rör med 30)*
1 157,19 kr
(exkl. moms)
1 446,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 38,573 kr | 1 157,19 kr |
| 120 + | 36,643 kr | 1 099,29 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 285-008
- Tillv. art.nr:
- IKWH40N65EH7XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 208W | |
| Kapseltyp | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | 40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 15.9mm | |
| Längd | 20.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 208W | ||
Kapseltyp PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur 40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 15.9mm | ||
Längd 20.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IGBT är en banbrytande IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT7-teknik för exceptionell prestanda i höghastighetstillämpningar med låg mättnadsspänning. Denna modul är konstruerad med en kollektorsändare med en nominell spänning på 650 V och säkerställer förbättrad effektivitet och minimal energiförlust, vilket gör den idealisk för krävande industriella miljöer. Med sitt robusta hus och optimerade termiska egenskaper erbjuder denna modul enastående robusthet mot fukt, vilket säkerställer konsekvent drift under olika förhållanden.
Höghastighetsdrift för effektiv energihantering
Låg mättnadsspänning för kollektorsändare ökar prestandan
Mjuk återhämtningsdiod säkerställer skonsam växling
Fuktbeständig konstruktion för tillförlitlighet under olika förhållanden
Optimerad för topologier på två och tre nivåer
Omfattande produktspektrum för skräddarsydda lösningar
Kvalificerad för industriella tillämpningar enligt strikta JEDEC-standarder
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT, N Kanal 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal 650 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT, N Kanal, 80 A 650 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 140 A 650 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.5 A 1700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.4 A 1700 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO-247-3-STD-NN4.8, CoolSiC