IXYS, IGBT-modul, Typ N Kanal, 135 A 1200 V 30 kHz, 7 Ben, Y4-M5 Yta

Se alla IGBT:er

Antal (1 enhet)*

854,78 kr

(exkl. moms)

1 068,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +854,78 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
193-874
Tillv. art.nr:
MII100-12A3
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

135A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

560W

Kapseltyp

Y4-M5

Typ av fäste

Yta

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

7

Switchhastighet

30kHz

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.7V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

30mm

Serie

NPT

Längd

94mm

Fordonsstandard

Nej

IGBT Modules, IXYS


Diskreta GIGBT-enheter och moduler, IXYS


Isolerad bipolär grindtransistor eller IGBT är en halvledare med tre terminaler, känd för hög effektivitet och snabb omkoppling. IGBT kombinerar de enkla gate-drivningsegenskaperna hos MOSFET:erna med kapaciteten för hög ström och låg mättnadsspänning hos bipolära transistorer genom att kombinera en isolerad gate-FET för styringången och en bipolär effekttransistor som omkopplare i en enda enhet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.